本公司經過3年的努力，目前以及成功設計制造了多款碳化硅二極管及MOSFET，囊括TO-220，TO-247，TO-252，DFN 3X3，DFN 5X6等多種封裝產品，歡迎垂詢。更多碳化硅產品還在陸續研發中。碳化硅的帶隙（band gap）大概是硅材料的3倍，單位面積的阻隔電壓大概是7倍，電子遷移率的數值相差不大，熱導率大概是3倍，電子漂移速度也大概是2倍。根據這些物理特性的表現，碳化硅可以運行更高的電壓，達到更高的效率，使得功率器件滿足輕薄短小的要求，同時具備更高的開關頻率，從而實現更小的體積。此外，對于設計者和使用者，碳化硅還具有很好的散熱性能，使得設計工作變得更加得心應手。
