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    本公司碳化硅系列產品陸續上市
     
    發布日期:2021-4-7 新聞來源:
      

    本公司經過3年的努力,目前以及成功設計制造了多款碳化硅二極管及MOSFET,囊括TO-220,TO-247,TO-252,DFN 3X3,DFN 5X6等多種封裝產品,歡迎垂詢。更多碳化硅產品還在陸續研發中。
    碳化硅的帶隙(band gap)大概是硅材料的3倍,單位面積的阻隔電壓大概是7倍,電子遷移率的數值相差不大,熱導率大概是3倍,電子漂移速度也大概是2倍。根據這些物理特性的表現,碳化硅可以運行更高的電壓,達到更高的效率,使得功率器件滿足輕薄短小的要求,同時具備更高的開關頻率,從而實現更小的體積。此外,對于設計者和使用者,碳化硅還具有很好的散熱性能,使得設計工作變得更加得心應手。

     
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