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    2021十大科技趨勢:以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體迎來爆發
     
    發布日期:2021-4-7 新聞來源:
      
    12月28日,阿里巴巴達摩院發布2021十大科技趨勢,這是達摩院成立三年以來第三次發布年度科技趨勢。

    2020年是不平凡的一年,經歷疫情的洗禮,許多行業重啟向上而生的螺旋,但疫情并未阻擋科技前進的腳步,量子計算、基礎材料、生物醫療等領域的一系列重大科技突破紛至沓來,后疫情時代,基礎技術及科技產業將如何發展,達摩院為科技行業提供了全新預測。

    趨勢一:以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體迎來應用大爆發

    以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體,具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優異特性,但受工藝、成本等因素限制,多年來僅限于小范圍應用。

    近年來,第三代半導體的性價比優勢逐漸顯現,正在打開應用市場:SiC元件已用作汽車逆變器,GaN快速充電器也大量上市。未來五年,基于第三代半導體材料的電子器件將廣泛應用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數據中心等場景。

     
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